אפל עשויה להפיל שבבי אחסון הנטען לגרום לתקלה באייפון 6

על פי שמועה ב עסקים קוריאה, אפל אמורה לעבור משימוש בפלאש ה- NAND הבעייתי (תא ברמה משולשת) ל- MLC (תא מרובה רמות) באייפון 6 ובאייפון 6 פלוס. MLC NAND שימש בגרסת 16GB של מכשירי האייפון 6 החדשים, כמו גם בחלק מדגמי 64GB, בעוד שדגמי 64GB ו -128GB משתמשים ב- TLC NAND.

לפני מספר ימים פרטנו דיווחים על אחוז קטן מהמשתמשים נתקלו בבעיות עם מכשירי האייפון החדשים שלהם שהתרסקו ונתקעים בלולאת אתחול, כביכול בשל בקר הבקר של TLC NAND.

למרות שההצעה לפיה אפל בוחנת זכירת מוצרים מלאה הופסקה במידה רבה, החברה כביכול מחפשת לפתור את הבעיה בהמשך.

כל משתמש שסובל מבעיות קריסה והפעלה מחדש צריך להחזיר את מכשירי האייפון לחנות Apple להחלפה.

במקור ההחלטה להשתמש ב- TLC NAND התקבלה כביכול בכדי לקצץ בעלויות. על פי הדיווח, ליקויי הייצור לכאורה הם עבודתה של חברת זיכרון הפלאש הישראלית אנוית, חברת אשר אפל רכשה לפני מספר שנים. ההבדל בין TLC ל- MLC הוא כי פלאש NAND במצב מוצק יכול לאחסן פי 1.5 מכמות הנתונים כמו פלאש ה- MLC. עם זאת, TLC גם איטי יותר מ- MLC הן במהירויות הקריאה והן בכתיבה.

אפל עדיין לא הגיבה על הנושא, למרות שלא זכתה לפרסום רב, מה שמרמז שזו לא בעיה שחווים מספר רב של משתמשים.

מָקוֹר: עסקים קוריאה

באמצעות: GforGames